1 月 5 日消息，据国外媒体报道，在此前的报道中，英文媒体援引产业链方面的消息报道称，台积电和三星的 3nm 工艺研发均遭遇关键瓶颈，研发进度也不得不推迟。

3nm 是 5nm 之后芯片制程工艺上的一个完整的技术跨越，芯片的晶体管密度、速度和能耗，较 5nm 都将会有明显的提升。

在 3nm 工艺上，台积电和三星这两大芯片代工商走的是不同的路线，台积电仍将采用成熟的鳍式场效应晶体管技术（FinFET），外媒称三星将采用环绕栅极晶体管技术（GAA）。

台积电 CEO 魏哲家，在此前的财报分析师电话会议上曾多次谈到 3nm 工艺，他表示 3nm 工艺计划 2021 年风险试产，他们的目标是在 2022 年下半年大规模量产。这也就意味着目前距离量产还有一年半的时间，他们也需要尽快攻克所遇到的关键瓶颈，以便在今年完成风险试产，进而在明年下半年大规模投产。

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